光・電子デバイス事業部

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「マイクロウェーブ展2010(MICROWAVE EXHIBITION 2010)」に出展

マイクロウェーブ展2010は、4年に一度日本で開催されるアジア・パシフィックマイクロ波会議(Asia-Pacific Microwave Conference 2010:APMC 2010)の付設展示会として、2010年12月8日(水)~10日(金)の3日間、パシフィコ横浜にて開催されます。

当社は、移動体基地局、レーダー用GaN HEMT、通信用内部整合型GaAs FET、準ミリ波、ミリ波帯MMIC等も含めた新製品を展示ホールA・Bにて紹介します。

会期 2010年12月8日(水)~10日(金)
会場 パシフィコ横浜 展示ホールA・B
ブース番号 A202
主な出展予定製品
  • 【移動体基地局、レーダー用GaN HEMT】
    20W~320Wの移動体基地局、および100W~400Wのレーダーに適した高効率デバイス
  • 【通信用内部整合型GaAs FET】
    3GHz~15GHz、3W~60Wの内部整合型GaAs FET
  • 【準ミリ波、ミリ波帯MMIC】
    Point to Point、FWA、VSATに適したMMIC
公式サイト http://apmc-mwe.org/MicrowaveExhibition2010/index.html
(C) 2007 Sumitomo Electric Industries, Ltd.
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