「マイクロウェーブ展2009」に出展

11月25日から27日までの3日間、パシフィコ横浜で開催される国内最大規模のマイクロ波技術関連製品の技術展示会「マイクロウェーブ展2009」に出展しました。
当社と住友電工デバイス・イノベーション（株）は、携帯電話基地局用高出力GaN（※1）・HEMTs（※2）、P-to-Pシステム用電子デバイス製品などを出展し、拡販を図っていきます。

会期	11月25日（水）～27日（金）
会場	パシフィコ横浜（横浜市・みなとみらい）
ブース番号	D201
出展製品	携帯電話基地局用高出力GaN・HEMTs P-to-Pシステム用GaAs(※3) MMIC(※4)及びFET(※5)
公式サイト	http://apmc-mwe.org/mwe2009/

• ※1 GaN：窒化ガリウム
• ※2 HEMTs：High Electron Mobility Transistors 高電子移動度トランジスタ
• ※3 GaAs：ガリウム砒素
• ※4 MMIC：Monolithic Microwave Integrated Circuit モノリシック（単一）マイクロ波集積回路
• ※5 FET：Field Effect Transistor 電界効果型トランジスタ