窒化ガリウム高移動度トランジスタ（GaN HEMT）
レーダ用途向け高出力「GaN HEMT」の量産を開始

このたび、L帯、S帯のパルス方式レーダ用途向けに、最大400Wの高い出力を持つ窒化ガリウム高移動度トランジスタ（GaN HEMT）を開発し、量産を開始しました。

GaN HEMTは、当社が、世界に先駆けて2005年に量産化に成功しており、これまで基地局用途・汎用製品として累計50万個以上の出荷実績がありますが、今回、新たにレーダ用途向けの製品群を加え、ラインアップを充実しました。

従来、レーダ用途には電子管が用いられていましたが、レーダ帯域以外にスプリアス（不要放射）が発生してしまう、用途によっては年1回程度の交換が必要になるなどの課題がありました。

今回量産化に成功したレーダ用途向けGaN HEMTは、デバイス構造を最適化、パッケージの放熱構造を工夫することにより、低スプリアス、かつ高出力を実現しました。これにより、高出力レーダ用途向けには、電子管から固体素子（GaN HEMT）への置き換えが可能となり、システムの小型・軽量化、信頼性の向上を実現します。

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周波数	出力電力
	100W	200W	400W
1.2 - 1.4GHz	EGNB090MK	EGN13B200Ⅳ-R	-
2.7 - 2.9GHz	EGN28B100Ⅳ-R	EGN28B200Ⅳ-R	EGN28B400M1B-R
2.7 - 3.1GHz	EGN29B100Ⅳ-R	EGN29B200Ⅳ-R	EGN29B400M1B-R

EuMW/European　Microwave 2010 に出展

フランス・パリ市で欧州最大規模の無線通信関連の国際会議EuMWが開催され、本会議に9月28日から30日まで併設される専門展示会European Microwave 2010で、次世代の無線通信関連機器、デバイスなどが一堂に紹介されます。

当社と欧州販売会社であるSEEL社※は、今回量産化に成功したパルス方式レーダ用途向けのほか、携帯電話基地局用途の小型・軽量・高性能・省電力を特長とするGaN HEMT、Radio　Link用途に表面実装を実現したガリウムヒ素トランジスタ（GaAs　FET）、集積回路（MMIC）などを出展します。

会期	9月28日（火）～30日（木） （国際会議EuMWは、9月26日（日）～10月1日（金））
会場	フランス・パリ市・CNITコンベンションセンター
出展ゾーン	#92
出展製品	GaN HEMT、GaAs FET、MMICなど

公式サイト	http://www.eumweek.com/

1. ※ SEEL社：
   Sumitomo Electric Europe Ltd.（本社：イギリス）市場調査・情報収集及び当社製品の販売、当社向け資材の調達会社