紫外から赤外に至る発光素子／受光素子、光通信応用デバイス、無線通信用やパワー用の高機能電子デバイスなどの基本材料となる化合物半導体を研究開発の軸に捉え、それら材料の高度化と応用に関する研究開発及び周辺技術開発を進めます。

当社化合物半導体とその応用分野

化合物半導体は、シリコン半導体では実現できない各種応用領域にて広く利用されています。
当社はこの分野のパイオニアとして各種の材料を開発しており、より高品質、大口径の結晶成長技術や、新規デバイスの創出に向けた新材料の開発を推し進めています。

製品開発と基盤技術

化合物半導体の応用分野として発光デバイス、電子デバイスがあります。それぞれの分野で独自材料技術をベースにエピ、デバイス、モジュールへ川下展開を目指した技術開発を進めています。

CSR への取り組み

半導体技術研究所で開発しているGaAsやInP，GaN，AlN等の化合物半導体はSi半導体に較べて高耐圧・低消費電力に貢献する環境材料ですが、これらを製造する工程においても安全で環境に優しいプロセス技術の開発を行っています。

緑色半導体レーザ

GaN基板技術を最大限に活用して世界に先駆けて実現した純緑色半導体レーザにより、光の三原色（赤・緑・青）を用いた光応用が一層促進され、ディスプレイ分野をはじめとする幅広い展開が期待されています。

GaNトランジスタ

GaN材料は電子デバイス用途でも優れた特長を持ちます。その特長を最大限に引き出す縦型トランジスタの開発を進めています。
Ｓｉデバイスを超える高速性能、省エネ性能が期待されます。

薄膜結晶材料開発

化合物半導体結晶の薄膜成長技術の開発を行っています。
近赤外光を用いた組成イメージングセンサや次世代パワーデバイス等、新規デバイスへの応用を目的に、新しい薄膜結晶材料の開発をナノ構造の解析を行いながら進めています。