伝送デバイス研究所では、化合物半導体の結晶成長、プロセス技術を特徴とする半導体レーザやフォトダイオードなどの光素子、HEMTやマイクロ波ICなどの半導体チップ、またそれらを集積したモジュールから光データリンクにいたる独自技術を有し、これらの垂直統合を行うことで、光通信と無線通信の2大情報通信市場に最先端技術を提供しています。

光データリンク（ODL）

当社製光サブアセンブリ・ICを用いて実現できる光送受信機能モジュールの仕様提案を行い、高周波回路・アナログ/デジタル制御、機構設計等の要素技術を駆使し、小型低消費電力の光データリンク製品を実現しています。これらの製品は10～100Gbit/s通信システムの光インタフェース機能を担っています。

無線通信用デバイス

当社発の技術であるGaAs FET※1、HEMT※2、GaAs ICは、衛星通信用受信デバイス、携帯電話基地局用アンプに広く使われています。また、MMIC※3の技術は自動車のミリ波レーダにも採用されています。さらに、一層の高出力化・低消費電力化が可能なデバイスとして、窒化ガリウム（GaN）を用いたHEMTを開発し、世界に先駆けて量産に成功しています。
※１ FET： Field Effect Transistor（電界効果型トランジスタ）
※2 HEMT： High Electron Mobility Transistor（高電子移動度トランジスタ）
※3 MMIC： Monolithic Microwave　Integrated Circuit（マイクロ波モノリシック集積回路）

赤外イメージセンサ

光通信用受光素子の要素技術を応用して、赤外イメージセンサの開発を行っています。従来のセンサと比較して低ノイズが特徴で、微量分析に適しています。生体や食品・農産物の画像検査システムや、毒性・環境ガスのモニタリングシステムなどに使用されます。