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平成21年度科学技術分野文部科学大臣表彰において、「青紫色レーザ用低転位窒化ガリウム基板」の研究が「科学技術賞（研究部門）」を受賞しました。
  
「青紫色レーザ用低転位窒化ガリウム基板」の研究
当社では、世界に先駆け低欠陥で高品質な窒化ガリウム基板（GaN基板）の開発に取り組みました。異種基板上に気相合成によりGaNエピタキシャル成長層を厚く成長し、その後異種基板を除去するという新プロセスでの開発を試みました。最大の課題は、異種基板とエピタキシャル界面から発生する大量の結晶欠陥を低減することでしたが、研究開発過程において、結晶成長時にあえてその表面にくぼみを形成し、その形状を維持して厚く成長させることで、結晶欠陥がそのくぼみの底に集合し、その結果、周辺の結晶欠陥が低減するという現象を発見しました。この現象を利用することで結晶欠陥の低減に成功し、さらにはそのくぼみの位置や形状を制御できるようにもなりました。これによって、レーザ用基板としての要求特性を全て満足する低欠陥のGaN結晶を世界で初めて得ることに成功しました。 |
