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広報誌 SEI WORLD 2010年

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SEI WORLD 2010年 09月号(vol. 396)

窒化ガリウム高移動度トランジスタ(GaN HEMT)

レーダ用途向け高出力「GaN HEMT」の量産を開始

  このたび、L帯、S帯のパルス方式レーダ用途向けに、最大400Wの高い出力を持つ窒化ガリウム高移動度トランジスタ(GaN HEMT)を開発し、量産を開始しました。

  GaN HEMTは、当社が、世界に先駆けて2005年に量産化に成功しており、これまで基地局用途・汎用製品として累計50万個以上の出荷実績がありますが、今回、新たにレーダ用途向けの製品群を加え、ラインアップを充実しました。

  従来、レーダ用途には電子管が用いられていましたが、レーダ帯域以外にスプリアス(不要放射)が発生してしまう、用途によっては年1回程度の交換が必要になるなどの課題がありました。

  今回量産化に成功したレーダ用途向けGaN HEMTは、デバイス構造を最適化、パッケージの放熱構造を工夫することにより、低スプリアス、かつ高出力を実現しました。これにより、高出力レーダ用途向けには、電子管から固体素子(GaN HEMT)への置き換えが可能となり、システムの小型・軽量化、信頼性の向上を実現します。

  「GaN HEMT」200W出力製品   「GaN HEMT」400W出力製品  
周波数 出力電力
100W 200W 400W
1.2 - 1.4GHz EGNB090MK EGN13B200Ⅳ-R -
2.7 - 2.9GHz EGN28B100Ⅳ-R EGN28B200Ⅳ-R EGN28B400M1B-R
2.7 - 3.1GHz EGN29B100Ⅳ-R EGN29B200Ⅳ-R EGN29B400M1B-R
EuMW/European Microwave 2010 に出展

  フランス・パリ市で欧州最大規模の無線通信関連の国際会議EuMWが開催され、本会議に9月28日から30日まで併設される専門展示会European Microwave 2010で、次世代の無線通信関連機器、デバイスなどが一堂に紹介されます。

  当社と欧州販売会社であるSEEL社は、今回量産化に成功したパルス方式レーダ用途向けのほか、携帯電話基地局用途の小型・軽量・高性能・省電力を特長とするGaN HEMT、Radio Link用途に表面実装を実現したガリウムヒ素トランジスタ(GaAs FET)、集積回路(MMIC)などを出展します。

会  期 9月28日(火)~30日(木)
(国際会議EuMWは、9月26日(日)~10月1日(金))
会  場 フランス・パリ市・CNITコンベンションセンター
出展ゾーン #92
出展製品 GaN HEMT、GaAs FET、MMICなど
公式サイト http://www.eumweek.com/

SEEL社:
Sumitomo Electric Europe Ltd.(本社:イギリス) 市場調査・情報収集及び当社製品の販売、当社向け資材の調達会社

 

海外デバイス営業部、住友電工デバイス・イノベーション(株)

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