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マイクロ波製品関連の世界最大の展示「IMS2012」が、カナダのモントリオールで開催されます。当社グループは、スマートフォン普及に伴うデータ量増大に対応した高出力・高効率の化合物半導体製品で、業界トップシェアを有するGaN（※1）HEMT（※2）を用いた携帯電話基地局用デバイス、航空管制レーダ・気象レーダ用デバイス、基地局間通信用GaAs（※3）MMIC（※4）及びFET（※5）などを出展します。
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| 会 期 |
6月19日（火）～6月21日（木） |
| 会 場 |
モントリオールコンベンションセンター（カナダ・モントリオール） |
| ブース番号 |
2003 |
| 出展製品 |
携帯基地局用及びレーダ用GaN HEMT、基地局間通信用GaAs MMIC、GaAs FET
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※1GaN：
窒化ガリウム
※2HEMT：
High Electron Mobility Transistors 高電子移動度トランジスタ
※3GaAs：
ガリウムヒ素
※4MMIC：
Monilithic Microwave Integrated Circuit モノリシックマイクロ波集積回路
※5FET：
Field Effect Transistor 電界効果トランジスタ
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海外デバイス営業部、住友電工デバイスイノベーション（株） |
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