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11月28日から30日までの3日間、パシフィコ横浜で、国内最大規模のマイクロ波技術関連製品の展示会「マイクロウェーブ展2012」が開催されます。当社と住友電工デバイス・イノベーション（株）は、携帯電話基地局用高出力GaN（※1）・HEMT（※2）、基地局間通信用GaAs MMIC、レーダー用GaN HEMT製品などを出展します。当社展示ブースへのご来場を心よりお待ちしています。 |
| 会 期 |
11月28日（水）～30日（金） |
| 会 場 |
パシフィコ横浜（横浜市・みなとみらい） |
| ブース番号 |
D404 |
| 出展製品 |
携帯電話基地局用高出力GaN・HEMT、基地局間通信用GaAs（※3）、
MMIC（※4）、及びFET（※5）、レーダー用GaN HEMT |
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※1GaN：
窒化ガリウム
※2HEMT：
High Electron Mobility Transistor 高電子移動度トランジスタ
※3GaAs：
ガリウム砒素
※4MMIC：
Monolithic Microwave Integrated Circuit モノリシック マイクロ波集積回路
※5FET：
Field Effect Transistor 電界効果型トランジスタ
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海外デバイス営業部、住友電工デバイス・イノベーション（株） |
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