2016年11月16日 16:00 SiCパワー半導体デバイス量産開発ライン

昨年11月より、茨城県つくば市にあるTIA パワーエレクトロニクス研究拠点に構築を進めていた、シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイスの量産開発を可能とする新ラインがこのたび完成し、その竣工式に出席しました。

このラインは、国立研究開発法人産業技術総合研究所と当社が相互に協力してつくったもので、基礎研究から一歩進め、世界最先端・最速のSiCパワー半導体の量産技術、信頼性評価技術、品質評価技術を開発することになります。6インチ級の大型ウエハーのプロセスを実現したオープンイノベーション拠点としては、世界初となります。

わたしは、かねてから、エネルギーロスを低減し、省エネルギーや環境負荷低減に大きく貢献する、SiCの技術に着目しており、超電導の技術とともに、当社の開発・事業化戦略上、非常に重要なものと位置づけています。

また、かつて産総研の監事をしていたときから、企業との相互補完の関係性が有効だと考えていましたので、今後、しっかりと連携・協力しながら、本ラインがSiCパワー半導体の実用化・本格普及に向けて、重要なマイルストーンとなるようしっかりと研究開発を進めていきたいと思います。

  • 産総研・中鉢理事長と
    産総研・中鉢理事長と
  • 関係者のみなさんとともに
    関係者のみなさんとともに

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住友電気工業(株)社長 松本正義

1944年生まれ、兵庫県出身。
1967年住友電工入社。中部支社長、常務取締役、専務取締役を経て2004年6月社長就任。
趣味はジョギング、読書、絵画鑑賞など。中学時代は野球、高校では柔道、大学では陸上競技のやり投げ選手としてインターカレッジ出場経験もある。

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