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GaAs基板
InP基板
GaN基板
エピタキシャルウェーハ
[ 印刷用 : 707KB ]
（＊1） LPD：Light Point Defects （＊2） Individual Container is also available. （＊3） Notch：Axis〔010〕, Depth 1㎜, Angle 90°
- Standard
Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness（min.～max.）
- Option
EPD Map・Accuracy of Orientation・Light Point Defects
半絶縁性基板
LED用基板
レーザー用基板
その他仕様
: 707KB ]
