GaAs結晶成長法

3T-HB

VB

LEC

大口径化

～2.5Ф

2～6Ф

3～6Ф

結晶欠陥
(EPD)

低

極低

高

残留歪

低

極低

高

カーボン制御

-

良

良

結晶ロス

大

小

中