| 1956年（昭和31） |
半導体研究スタート（Ge、Si、その他化合物半導体） |
| 1961年（昭和36） |
半導体研究室発足（InSb、GaAs） |
| 1968年（昭和43） |
HB法によるGaAs単結晶成長技術を確立 |
| 1969年（昭和44） |
InSb単結晶引き上げに成功
研究部電子材料グループ発足 |
| 1970年（昭和45） |
GaAsシーディング技術の開発に成功 |
| 1972年（昭和47） |
GaP単結晶・他結晶の生産技術を確立 |
| 1973年（昭和48） |
GaAsエピタキシャルウエハ、半絶縁性GaAs開発をスタート |
| 1974年（昭和49） |
InP単結晶引き上げ（LEC法）に成功 |
| 1975年（昭和50） |
無転位大型GaAs単結晶の開発で、科学技術長官賞受賞 |
| 1977年（昭和52） |
電子材料事業部内に半導体開発部発足
日軽化工よりGaAs VPEエピ技術を導入 |
| 1978年（昭和53） |
伊丹製作所内に最初の量産工場を竣工 |
| 1979年（昭和54） |
InP単結晶を量産化 |
| 1980年（昭和55） |
2インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功
マイクロ波用GaAs VPEエピウエハの量産開始 |
| 1981年（昭和56） |
LEC-GaAs単結晶、半絶縁性InP単結晶の量産開始
半導体開発部が電子材料事業部より独立 |
| 1982年（昭和57） |
円形GaAs赤外用LPEウエハを開発
3インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功 |
| 1983年（昭和58） |
HB法による１ｍ長尺GaAs単結晶を開発 |
| 1984年（昭和59） |
半導体事業部発足
伊丹製作所内に第2の量産工場を竣工
IC用GaAs2インチ無転移結晶の開発に成功 |
| 1986年（昭和61） |
3インチ長尺GaAs単結晶を開発 |
| 1988年（昭和63） |
4インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功
3インチInP単結晶の開発に成功 |
| 1989年（平成元） |
InGaAs VPEウエハの開発に成功
InPエッチドウエハの販売を開始 |
| 1990年（平成2） |
InP VCZ結晶の開発に成功
GaAs MBEエピウエハの量産を開始
GaAs SCウエハ、高精度ウエハの販売を開始 |
| 1992年（平成4） |
衛星放送用GaAs MBEエピウエハの量産を開始 |
| 1993年（平成5） |
InAsP赤外センサー用エピウェハの開発に成功
VB法によるGaAs単結晶の開発を開始 |
| 1994年（平成6） |
ISO9001認定取得
電子デバイス用InP MBEエピウエハの開発に成功 |
| 1995年（平成7） |
阪神淡路大震災に被災するが、短期間で復旧 |
| 1996年（平成8） |
半絶縁性4インチVB-GaAsウエハの量産を開始 |
| 1998年（平成10） |
光通信用InP OMVPEエピの量産を開始
半絶縁性6インチVB-GaAsウエハの開発に成功 |
| 1999年（平成11） |
半絶縁性6インチVB-GaAsウエハの量産を開始 |
| 2000年（平成12） |
2インチGaN基板の開発に成功
台湾SEIEM社設立 |
| 2001年（平成13） |
神戸にSSM社設立
米国SESMI社設立 |
| 2002年（平成14） |
低転位高品質2インチGaN基板の量産を開始
InP VB結晶の開発を開始 |
| 2003年（平成15） |
InP VB基板の量産を開始 |
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