日時 |
学会名・投稿先 |
報告者 |
題名・内容 |
'03/11/06 |
4th International Workshop on Modeling in Crystal Growth |
T. Kawase
M. Tatsumi
M. Fukuzawa
M. Yamada
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Thermal stress effect on residual strain profiles in GaAs substrates
Grown by LEC and VB techniques |
'03/09/30 |
10th International Conference on Defects Recognition,
Imaging and Physics in Semiconductors |
T. Kawase
M. Tatsumi
M. Fukuzawa
M. Yamada
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Comparative study on residual strain profiles in GaAs substrates
grown by LEC and VB techniques |
'03/09/29 |
10th International Conference on Defects Recognition,
Imaging and Physics in Semiconductors |
M. Kiyama
M. Yamada
M. Tatsumi
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Quantitative analysis of low-frequency current oscillation
in semi-insulating GaAs |
'03/5/12-16 |
15th IPRM, Santa Barbara |
T.Iwasaki
S.Sawada
K.Ooki
H.Kimura
Y.Miura
M.Yokogawa
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Correlation between Graded InAsP Layer and Photoluminescence Intensity
for 2200nm CUTOFF In0.72Ga0.28As Grown By Chloride VPE. |
'03/5/12-16 |
15th IPRM, Santa Barbara |
K. Hashio
N. Hosaka
S. Fujiwara
T. Sakurada
R. Nakai
N. Hara*
Y. Tsusaka*
J. Matsui*
*Himeji Institute of Technology
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4-inch Fe-doped InP substrates manufactured using Vertical Boat
Technique. |
'02/10/20-23 |
GaAs IC Symposium |
T. Kawase
N. Hosaka
K. Hashio
M. Matsushima
T. Sakurada
R. Nakai
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Improvement of microscopic and macroscopic uniformity in 4-inch InP
substrate for IC application by Vertical Boat Growth. |
'02/5/12-16 |
14th IPRM, Stockholm |
H. Doi
H. Kimura
T. Iwasaki
Y. Miura
M. Yokogawa
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Highly uniformity 4-inch diameter InGaAs/InP epitaxial wafer for PIN-PD
application. |
'01/8/01 |
ICCG-13(invited) |
元木 健作 他 |
Growth and Characterization of Freestanding GaN Substrates |
'01/6/01 |
E-MRS（invited） |
元木 健作 他 |
Preparation of Large GaN Substrates
GaAs基板上にＧａＮ成長後、基板剥離するプロセスでＧａＮ基板作成。新しい転位の低減メカニズムを提案。 |
'01/5/24 |
2001 GaAsMANTECH |
羽木 良明 |
「Manufacturing 6" GaAs substrates by the VB method」
「直接・間接製造原価の効率良い低減」（Cost-Effective-Manufacturing）を念頭に置いて、GaAs６インチの量産化技術の開発に取り組んだ。成功のポイントは、田口メソッドを活用してのVB炉の構造最適化による長尺結晶の開発と、枚葉研磨の選択と田口メソッドを活用した効率的な開発、２つの技術開発により、大幅なコスト低減と、品質の向上を達成した。 |
'01/5/17 |
半導体産業新聞セミナー |
横川 正道 |
光通信時代に応える化合物半導体材料技術ＩｎＰ基板・エピ全般、ポンプレーザ用ＧａＡｓ基板も含む |
'01/5/16 |
13th IPRM |
櫻田 隆 |
「Novel RTA Technique for Large diameter GaAs Wafers Managing to Minimize Both Dopant Diffusion and Slip Formation」
GaAs基板のスリップ発生とドーパントの拡散を抑制するRTAシーケンスの設計方法について |
'01/5/16 |
13th IPRM |
沢田 滋 |
「Investigation of InP epitaxial films on GaAs Substrate grown by Chloride Vapor Phase Epitaxy」 |
'01/5/10 |
応用物理,70,554～558 |
武部 敏彦 |
ZnSe系白色発光ダイオード白色LEDの解説記事。白色LEDの原理と特性を詳述 |
'01/5 |
2001年度IPRM |
沢田 真一 |
「Market and Technology Trend of InP Substrate」
最近の光通信市場の動向と大口径VCZ-InP基板の技術動向について報告。 |
'01/3/23 |
半導体産業新聞セミナー |
横川 正道 |
光通信時代を支える化合物半導体材料ＩｎＰ基板・エピ全般、ポンプレーザ用ＧａＡｓ基板も含む |
'01/3 |
電子ﾃﾞﾊﾞｲｽ研究会 |
中井 龍資
沢田 真一 |
最近の化合物半導体基板技術動向最近の基板技術動向とともに、VB-GaAs、VCZ-InP、GaN基板の特長を論述。 |
'01/3/01 |
応用物理学会 |
中畑 成二 他 |
「大口径ＧａＮ基板の試作II－転位挙動観察転位の挙動のＴＥＭ観察」 |
'01/3/01 |
応用物理学会 |
元木 健作 他 |
「大口径ＧａＮ基板の試作 I－成長と基板特性ＧａＮ作成プロセスと評価」 |
'01/2 |
JJAP |
元木 健作 他 |
「Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase EpitaxyGaAs(111)
A基板上にＨＶＰＥにて厚膜成長した後、ＧａＡｓ除去後、研磨し、ＧａＮ基板化。基板評価。 |
'00/12/18 |
日本金属学会東北支部談話会 |
並川 靖生 |
PVT成長ZnSe基板へのAl拡散と白色LEDへの応用擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長と基板へのAl拡散熱処理。その基板を用いた白色LEDの特長と特性。 |
'00/12/01 |
OPTRONICS,2000-12号,126～131 |
中村 孝夫 |
ZnSe系白色LEDとその応用白色LEDの原理、特性、応用について |
'00/11 |
電子材料 |
沢田 真一
田中 聡
上田 登志雄
中井 龍資 |
GaAs系基板材料の最新技術動向VB-GaAs基板とOMVPE基板について概説。 |
'00/11/01 |
J. Crystal Growth |
藤原 伸介 他 |
「Growth of Dislocation-Free ZnSe Single Crystal by CVT Method」
ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶において長尺化による無転位化 |
'00/8/31 |
CGCT-1 |
並川 靖生 |
「Al diffused conductive ZnSe substrates grown by physical vapor tranport method」
擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長とAl拡散熱処理。28mm×20mmの(100)基板で、転位密度＜1E4cm-2、X線ロッキングカーブFWHM＜10arcsec、キャリア密度＞5E17cm-3。 |
'00/7/01 |
日本結晶成長学会誌 |
藤原 伸介 |
総合報告Ⅱ－Ⅵ族化合物半導体材料の最新動向 （１）気相成長法によるＺｎＳｅバルク結晶の成長ＰＶＴ法、ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長の最近の動向 |
'00/3/01 |
応用物理学会 |
木山 誠
田島 道夫
野地 真樹
吉田 浩章 |
VB およびLEC-GaAsウェハーにおける熱処理効果の比較成長後熱処理による比抵抗とPL特性のミクロ分布。VB結晶がLEC結晶よりもより均一化することが判明。 |
'00/01/01 |
SEI TECHNICAL REVIEW |
松原 秀樹 |
「Development of Homo-epitaxial ZnSe based White Light Emitting Diode」（上記の英語版） |
'99/11/01 |
9th Intnational Conference on II-VI Compounds |
片山 浩二 |
「ZnSe-based White LEDs」
当社ZnSe系白色LEDの基本原理、素子特性などについて紹介した。 |
'99/9/3 |
応用物理学会 |
松原 秀樹 |
ZnSe系ホモエピ白色発光ダイオードの開発白色LEDの初の招待講演（応物シンポジウム）。白色LEDの開発経緯、原理、現状の特性を紹介 |
'99/9 |
SEIﾃｸﾆｶﾙﾚﾋﾞｭ- |
沢田 真一 |
「６インチ径VB-GaAsウェハの開発」
ＶＢ法により大口径６インチの高品質GaAs単結晶の開発に成功した。 |
'99/9/01 |
J. Cryst. Growth,210(200)212 |
木山 誠
向 秀和
吉田 浩章
櫻田 隆
中井 龍資
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「Laser scattering defects in MBE-grown GaAs epitaxial layers related to dislocations in semi-insulating substrates」
GaAsエピ中のミクロ散乱体を調査。基板から引き継いだ転位近傍に存在すること、転位の少ない基板（ＶB）上のエピは散乱体が少なく、パワーデバイス用の基板として優れていることを考察。 |
'99/9/01 |
DRIP-VIII |
木山 誠
向 秀和
吉田 浩章
櫻田 隆
中井 龍資 |
同上 |
'99/9/01 |
SEIテクニカルレビュー |
松原 秀樹 |
ZnSeホモエピタキシャル白色LEDの開発白色LEDの初の解説記事。白色LEDの原理と特性を詳述 |
'99/8/01 |
J. Crystal Growth |
藤原 伸介 他 |
「Growth of 1-inch diameter ZnSe single crystal by the Rotational CVT method」
回転ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長 |
'99/6/01 |
電子通信情報学会誌 |
南口 哲司 |
ZnSe系白色発光ダイオードの開発白色LEDの初の論文誌掲載（ニュース記事）。白色発光原理の紹介。 |
'99/3/30 |
応用物理学会 |
松原 秀樹 |
蛍光剤フリーZnSe系白色LEDの開発白色LEDの初の学会発表。白色LEDの原理、現状の特性を紹介 |
'99/3/28 |
応用物理学会 |
並川 靖生 |
PVT法によるZnSe結晶成長とAl拡散による低抵抗化擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長とAl拡散熱処理。結晶サイズ径30mm×28mm長、転位密度1～5E4cm-2、キャリア密度5E17cm-3。 |
'99/3/01 |
応用物理学会 |
藤原 伸介 他 |
「回転ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長（２）回転ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長」 |
'99/1/01 |
J. Crystal Growth |
藤原 伸介 他
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「Growth of ZnSe single crystal by CVT method with self-moving convection shield」
隔壁ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長 |
宇宙研との共著 |
JJAP,39(2000)2585 |
木山 誠
田島 道夫
野地 真樹 |
「Characterization of Interfaces in GaAs Epitaxial Wafer by Spatially Resolved Photoluminescence from Cleaved Face」
エピ/基板界面の評価技術。ヘキカイ断面のミクロPLプロファイル評価。 |
