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GaAs基板
InP基板
GaN基板
エピタキシャルウェーハ
[ 印刷用 : 727KB ]
(*1) VCZ:Vapor Pressure Controlled Czochralski (*2) EPD Guaranteed Area:Percentage of points within spec. (*3) High Precision OF(±0.02°)is available for 2"φ. (*4) EW:Etched Wafer (*5) LPD:Light Point Defects
- Standard
Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness (min.~max.) EPD Map
- Option
Accuracy of Orientation・Flatness・Light Point Defects
半絶縁性基板
n型基板
p型基板
その他仕様